![]() 一种纳米晶互感器磁芯
专利摘要:
本实用新型公开了一种纳米晶互感器磁芯,包括箱卷制设备、磁芯、内焊针、传输U型槽和静电消除器,所述卷制设备的内侧面和上表面形成一个L型结构,所述L型结构的上表面设有磁芯和传输U型槽,且L型结构的内侧面安装设有一个静电消除器。本实用新型涉及一种纳米晶互感器磁芯,在纳米晶磁芯卷绕中可以有效的消除纳米晶磁芯的静电,使得产品不再吸附在机器设备上,提高了生产效率,同时磁芯的静电消除后,不再有吸附力,不会吸附在内焊针上,或者堆积在传输U型内,可以顺畅的送到下一工位。本实用新型原理简单,但是实用性强,也明显提升了生产效率,不但提升了生产效率,同时又降低了人工成本。 公开号:CN214336514U 申请号:CN202023320588.9U 申请日:2020-12-31 公开日:2021-10-01 发明作者:赵克亮;吴志新 申请人:Jiangsu Tewec Electrical Co ltd; IPC主号:H01F27-24
专利说明:
[n0001] 本实用新型涉及一种纳米晶磁芯卷制消除静电工艺技术领域,具体为一种纳米晶互感器磁芯。 [n0002] 传统的纳米晶磁芯卷制过程中,纳米晶带材在过磁芯卷绕机的传输时,不断的摩擦而产生了大量的静电,静电的弊端很大,在磁芯卷绕成型后,需要将纳米晶磁芯传输到下位置,此时的纳米晶磁芯已有大量的静电,此静电会将纳米晶磁芯吸附在卷绕设备上不能传输。造成堆积或卡料,需要人工进行操作去挪动,这样费时费力,不但增加人工成本而且效率低下。 [n0003] (一)解决的技术问题 [n0004] 针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种纳米晶互感器磁芯,解决了传统的纳米晶磁芯卷制过程中,纳米晶带材在过磁芯卷绕机的传输时,不断的摩擦而产生了大量的静电,静电的弊端很大,在磁芯卷绕成型后,需要将纳米晶磁芯传输到下位置,此时的纳米晶磁芯已有大量的静电,此静电会将纳米晶磁芯吸附在卷绕设备上不能传输。造成堆积或卡料,需要人工进行操作去挪动,这样费时费力,不但增加人工成本,而且效率低下的问题。 [n0005] (二)技术方案 [n0006] 为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种纳米晶互感器磁芯,包括箱卷制设备、磁芯、内焊针、传输U型槽和静电消除器,所述卷制设备的内侧面和上表面形成一个L型结构,所述L型结构的上表面设有磁芯和传输U型槽,且L型结构的内侧面安装设有一个静电消除器。 [n0007] 优选的,所述静电消除器是连接在卷制设备1的卷轴与磁芯2、焊针和传输U型槽上。 [n0008] 优选的,所述内焊针的后端固定连接磁芯。 [n0009] 优选的,所述磁芯安装在卷制设备的卷轴上。 [n0010] 优选的,所述传输U型槽的上端对应磁芯的底部。 [n0011] (三)有益效果 [n0012] 本实用新型提供了一种纳米晶互感器磁芯。具备以下有益效果: [n0013] 通过纳米晶带材因摩擦等各种因素产生静电,从而卷制成型的纳米晶磁芯2也会带着大量的静电,当纳米晶磁芯卷制完成后,然后对其外径与内径进行焊接,焊接好的纳米晶磁芯2就会输送下一工位,但是此时的纳米晶磁芯2有大量静电,有较大的吸附力,会吸附在焊针3上不脱落,或者吸附在传输U型槽4内堆积在一起,这些原先都要人工进行干预挪动,而此时静电消除器5开始工作,静电消除器是连接在卷制设备1的卷轴与纳米晶磁芯2、焊针、传输U型槽上。当每一个纳米晶磁芯2卷制焊接后,静电消除器5会通过以上各环节将纳米晶磁芯2的静电释放。当纳米晶磁芯2静电消除后,不再有吸附力,不会吸附在焊针3上,或者堆积在传输U型槽4内,可以顺畅的送到下一工位。此实用新型原理简单,但是实用性强,也明显提升了生产效率,不但提升了生产效率同时又降低了人工成本。此实用新型在产线上效果显著。 [n0014] 图1为本实用新型整体的结构示意图。 [n0015] 图中,1卷制设备、2磁芯、3焊针、4传输U型槽、5静电消除器。 [n0016] 下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。 [n0017] 请参阅图1,本实用新型实施例提供一种技术方案:一种纳米晶互感器磁芯,包括箱卷制设备1、磁芯2、内焊针3、传输U型槽4和静电消除器5,所述卷制设备1的内侧面和上表面形成一个L型结构,所述L型结构的上表面设有磁芯2和传输U型槽4,且L型结构的内侧面安装设有一个静电消除器 5。 [n0018] 所述静电消除器5是连接在卷制设备1的卷轴与磁芯2、焊针和传输U型槽4上。 [n0019] 所述内焊针3的后端固定连接磁芯2。 [n0020] 所述磁芯2安装在卷制设备1的卷轴上。 [n0021] 所述传输U型槽4的上端对应磁芯2的底部。 [n0022] 工作原理:工作时通过纳米晶带材因摩擦等各种因素产生静电,从而卷制成型的纳米晶磁芯2也会带着大量的静电,当纳米晶磁芯2卷制完成后,然后对其外径与内径进行焊接,焊接好的纳米晶磁芯2就会输送下一工位,但是此时的纳米晶磁芯2有大量静电,有较大的吸附力,会吸附在内焊针3 上不脱落,或者吸附在传输U型槽4内堆积在一起,这些原先都要人工进行干预挪动,而此时静电消除器5开始工作,静电消除器5是连接在卷制设备1的卷轴与纳米晶磁芯2、内焊针3、传输U型槽4上。当每一个纳米晶磁芯2 卷制焊接后,静电消除器5会通过以上各环节将纳米晶磁芯2的静电释放。当纳米晶磁芯2静电消除后,不再有吸附力,不会吸附在内焊针3上,或者堆积在传输U型槽4内,可以顺畅的送到下一工位。此实用新型原理简单,但是实用性强,也明显提升了生产效率,不但提升了生产效率同时又降低了人工成本,此实用新型在产线上效果显著。 [n0023] 本实用新型的1-箱体、2-底箱、3-顶箱、4-活动箱、5-连接块、6-电机箱、7-第一电机、8-第一锥形齿轮、9-第二锥形齿轮、10-卡件、11-钻头、12-压板、13-强力弹簧、14-顶板、15-卡环、16-第二电机、17-第一齿轮、 18-第二齿轮、19-齿轮轴、20-扇形轮、21-齿板、22-第三电机、23-滑动装置、231-转动板、232-固定板、233-竖板、234-第一滑槽、235-第一转动杆、 236-第二滑槽、237-第二转动杆、238-滑板、239-凸板、24-卡紧装置、241- 滑杆、242-挡板、243=卡杆、244=卡紧弹簧、25-缓冲装置、251-摆动杆、252- 缓冲弹簧、253-移动块、26-液压杆、27-放置箱、28-转轴,部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件,其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知,本实用新型解决的问题是传统的纳米晶磁芯卷制过程中,纳米晶带材在过磁芯卷绕机的传输时,不断的摩擦而产生了大量的静电,静电的弊端很大,在磁芯卷绕成型后,需要将纳米晶磁芯传输到下位置,此时的纳米晶磁芯已有大量的静电,此静电会将纳米晶磁芯吸附在卷绕设备上不能传输。造成堆积或卡料,需要人工进行操作去挪动,这样费时费力,不但增加人工成本,而且效率低下。 [n0024] 以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。 [n0025] 此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
权利要求:
Claims (5) [0001] 1.一种纳米晶互感器磁芯,其特征在于:包括箱卷制设备(1)、磁芯(2)、内焊针(3)、传输U型槽(4)和静电消除器(5),所述卷制设备(1)的内侧面和上表面形成一个L型结构,所述L型结构的上表面设有磁芯(2)和传输U型槽(4),且L型结构的内侧面安装设有一个静电消除器(5)。 [0002] 2.根据权利要求1所述的一种纳米晶互感器磁芯,其特征在于:所述静电消除器(5)是连接在卷制设备(1)的卷轴与磁芯(2)、内焊针(3)和传输U型槽(4)上。 [0003] 3.根据权利要求1所述的一种纳米晶互感器磁芯,其特征在于:所述内焊针(3)的后端固定连接磁芯(2)。 [0004] 4.根据权利要求1所述的一种纳米晶互感器磁芯,其特征在于:所述磁芯(2)安装在卷制设备(1)的卷轴上。 [0005] 5.根据权利要求1所述的一种纳米晶互感器磁芯,其特征在于:所述传输U型槽(4)的上端对应磁芯(2)的底部。
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同族专利:
公开号 | 公开日
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
2021-10-01| GR01| Patent grant| 2021-10-01| GR01| Patent grant|
优先权:
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